20世紀90年代以來，氧化鋅逐步受到人們的關注，最大的原因在于它廣泛的應用，如作為紫外光發(fā)射體、變阻器、透明電子器件、壓電器件、氣體傳感器、顯示器和太陽能電池材料等。被開發(fā)和研究的各種氧化鋅材料中，氧化鋅納米材料是其中發(fā)展最快的一種，因為氧化鋅納米材料在具備氧化鋅各種特性的同時，納米效應賦予了它新的特性。納米材料的分析表征則是其性質研究的保證，其中包括組分、純度、形貌、結構、表面和分散等方面。本章我們將先介紹氧化鋅納米顆粒的特性，然后介紹在氧化鋅納米顆粒納米毒理研究過程中所涉及的重要表征技術和手段。
氧化鋅屬于六方晶系，具有六方纖鋅礦型晶格結構，理想的氧化鋅晶體中，鋅(zn)、氧(0)各自組成一個六方密堆積結構的子格，這兩個子格沿f軸平移0．375 nFll，形成復格子結構。每個鋅原子和鄰近的四個氧原子構成一個四面體結構；反之亦然。但現實中，四面體常常發(fā)生畸變，使結構偏離理想的排列。如果給晶體一個適當的壓力，纖鋅礦結構可以轉變成不穩(wěn)定的面心立方結構跚。
這種四面體配位使得氧化鋅為非中心對稱的極性晶體結構，從而具有壓電和熱電等性質。此外，ZnO還有兩個極性表面，即Zn(0001)和O(0001)面。極性表面的存在使氧化鋅晶體沿f軸發(fā)生自發(fā)極化。氧化鋅還具有一些非極性的面，如(2110)和(0110)面，并且不同面的生長速率不同。所有這些特性使得我們可以獲得多姿多彩的氧化鋅納米結構。
氧化鋅是一種直接帶隙半導體材料，常溫下禁帶寬度約為3．37 eV，成為紫外和藍光區(qū)很好的發(fā)光材料。它的激子束縛能高達60 meV(遠大于最常見的半導體材料氮化鎵的25 meV和室溫下的熱離化能26 meV)，氧化鋅可在較低閾值下產生激子受激輻射，被認為是一種更佳的室溫及以上溫度的紫外光發(fā)射材料。ZnO制備溫度比氮化鎵要低幾百度，這在很大程度上避免了因高溫導致的生長層與襯底問的原子相互擴散對電學輸運性質的影響。和目前廣泛應用的氮化鎵相比，氧化鋅是一種低成本的半導體材料。同時，氧化鋅對不同的氣體表現出敏感性，如乙醇、乙炔和一氧化碳，這讓它在傳感器方面有很好的應用。這些優(yōu)越的特性使氧化鋅成為目前的熱門材料。
